混頻二極管是一種肖特基勢壘二極管，它是利用金屬和N型半導體相接觸所形成的金屬——半導體結的原理而制成的。當金屬與半導體相接觸時(shí)，它們的交界面處會(huì )形成阻礙電子通過(guò)的肖特基勢壘，即表面勢壘。為了使半導體中的載流子容易地越過(guò)勢壘進(jìn)入金屬，它必須采用電子逸出功(電子跑出半導體或金屬表面所需的能量)比金屬大得多的N型半導體。當二極管加上正向偏壓時(shí)，勢壘下降，多數載流子(電子)便從半導體進(jìn)入金屬。

混頻二極管與一般二極管相比，由于利用多數載流子工作，沒(méi)有少數載流子儲存效應，所以具有頻率高、噪聲低和反向電流小等特點(diǎn)，主要用于混頻器。使用二極管混頻方式時(shí)，在500～10，000Hz的頻率范圍內，多采用肖特基型和點(diǎn)接觸型二極管。